按主题分类的文章 "砷化铟"

1. 低阈值电流密度单片生长在Si衬底上的连续波InAs/GaAs量子点激光二极管
   发布于 2022年9月21日

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   近50年来，硅微电子一直是现代信息技术的引擎。为了以更快的速度处理越来越多的数据，同时使用最小的组件，硅行业已经成功克服了许多关键问题。现代信息系统发展的下一个关键挑战是金属互连的限制。超大规模集成(VLSI)电路的不断扩展，给芯片间和芯片内通信带来了挑战。将光子学和电子学合并成一个双功能平台，使用现有硅基设施制造的光电集成电路可以克服互连问题，同时推动硅微电子超越经典的互补金属氧化物半导体（CMOS）时代。尽管在过去的30年里，人们在硅基光产生和调制技术上付出了巨大的努力，但硅基电泵浦激光器的单片增长仍然是硅光子学的“圣杯”。由于IV族材料的间接带隙，其发射器的激发重组过程效率相对低 ...